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申请/专利权人：埃克斯甘公司
申请日：2022-03-29
公开（公告）日：2022-09-20
公开（公告）号：CN217468434U
专利技术分类：.....有绝缘栅场效应晶体管的组件[2006.01]
专利摘要：本公开的实施例涉及一种电子装置和电子封装。本公开涉及一种电子装置，第一高电子迁移率晶体管HEMT晶体管；以及至少一个第二HEMT晶体管，其中第一HEMT晶体管包括第一层堆叠，并且第二HEMT晶体管包括第二层堆叠，在第一层堆叠和第二层堆叠之间插入有绝缘层，第一层堆叠和第二层堆叠从绝缘层分别朝向电子装置的第一侧和第二侧延伸；其中第一层堆叠和第二层堆叠中的每个层堆叠包括从所述绝缘层起的势垒层和沟道层；以及其中第一HEMT晶体管包括第一源极电极和第一栅极电极，第二HEMT晶体管包括第二源极电极和第二栅极电极，并且第一HEMT晶体管和第二HEMT晶体管包括公共漏极电极。
专利权项：1.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括：第一高电子迁移率晶体管HEMT晶体管；以及至少一个第二HEMT晶体管，其中，所述第一HEMT晶体管包括第一层堆叠，并且所述第二HEMT晶体管包括第二层堆叠，在所述第一层堆叠和所述第二层堆叠之间插入有绝缘层，所述第一层堆叠和所述第二层堆叠从所述绝缘层分别朝向所述电子装置的第一侧和第二侧延伸；其中，所述第一层堆叠和所述第二层堆叠中的每个层堆叠包括从所述绝缘层起的势垒层和沟道层；以及其中，所述第一HEMT晶体管包括第一源极电极和第一栅极电极，所述第二HEMT晶体管包括第二源极电极和第二栅极电极，并且所述第一HEMT晶体管和所述第二HEMT晶体管包括公共漏极电极。
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