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申请/专利权人：广州诺尔光电科技有限公司
摘要：本发明涉及一种GOI衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法。一种GOI衬底包括由下至上的硅衬底、介质堆叠层、选择性外延生长锗层。制备方法包括：在硅衬底上形成第一介质层；在第一介质层上形成多条沟槽；在形成多条沟槽之后，在第一介质层上依次形成低温锗层、高温锗层直至覆盖沟槽至一定厚度；形成第二介质层，得到牺牲衬底；在第二硅衬底上形成第三介质层，得到支撑衬底；将牺牲衬底和支撑衬底键合；依次去除第一硅衬底、第一介质层、低温锗层。本发明解决了III‑V族材料外延生长中存在的反向畴、晶格失配大、热失配高等问题，提高了III‑V族材料外延材料的质量及短波红外焦平面像元等器件的响应度，降低了器件暗电流。
主权项：1.一种GOI衬底，其特征在于，包括由下至上的硅衬底、介质堆叠层、选择性外延生长锗层。
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百度查询： 广州诺尔光电科技有限公司 GOI衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法
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