龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：深圳佳恩功率半导体有限公司
摘要：本发明提供了具有高沟道迁移率的SiCMOSFET及其制备方法，涉及SiCMOSFET器件技术领域，包括衬底，所述衬底上方依次设有N‑漂移层、N+漂移层和p+源区层，N‑漂移层、所述N+漂移层和所述p+源区层的内部由内至外依次设有栅极、氧化层、N型块和P型块，所述N+源区层的顶部设有源极金属层，所述衬底下方设有漏极金属层，通过在SiCMOSFET内部形成由N型块和P型块组成的隔离层对氧化层进行阻挡，减少沟道受到的界面粗糙散射的影响，同时还可以在沟道处形成一电子通道，达到提升沟道迁移率的效果。
主权项：1.具有高沟道迁移率的SiCMOSFET，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上方依次设有N-漂移层、N+漂移层和p+源区层，N-漂移层、所述N+漂移层和所述p+源区层的内部由内至外依次设有栅极、氧化层、N型块和P型块，所述N+源区层的顶部设有源极金属层，所述衬底下方设有漏极金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳佳恩功率半导体有限公司 具有高沟道迁移率的SiCMOSFET及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号