龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种沟槽SiCMOSFET器件，通过在沟槽底部设置第三注入区，在器件进行反偏工作时，第一阱区和第二阱区分别和外延层反偏的同时第三注入区和外延层也形成耗尽层，两边耗尽层的形成有助于减小栅极角落位置电场强度，提升产品可靠性。
主权项：1.一种沟槽SiCMOSFET器件，其特征在于，包括：外延层和沟槽；所述外延层上设置有沟槽、第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和第二阱区设置在沟槽的两侧，所述沟槽中填充有多晶硅；所述第一阱区中设置有第一注入区，所述第二阱区中设置有第二注入区，所述第一注入区中设置有第三注入区，所述第三注入区的底部抵接第一阱区，所述第二注入区设置有第四注入区，所述第四注入区的底部抵接第二阱区，所述沟槽的底部设置有第五注入区；所述外延层为具有第一掺杂类型的SiC，所述第一阱区和第二阱区为第二掺杂类型，所述第一注入区和第二注入区为第一掺杂类型，所述第三注入区和第四注入区为第二掺杂类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 一种沟槽SiCMOSFET器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号