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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种集成电路器件包括：基板，包括单元阵列区域和外围电路区域；第一离子注入区域，在外围电路区域中位于基板的上部中，第一离子注入区域具有在第一水平方向上延伸并穿过第一离子注入区域的多个线沟槽；多个下电容器电介质膜，每个下电容器电介质膜配置为分别覆盖相应线沟槽的内壁；多条掩埋导电线，每条部分地填充相应线沟槽并且每条设置在相应下电容器电介质膜上；多个第一下电容器接触，每个与相应掩埋导电线接触；以及多个第二下电容器接触，与第一离子注入区域接触。
主权项：1.一种集成电路器件，包括：基板，包括单元阵列区域和外围电路区域；第一离子注入区域，在所述外围电路区域中位于所述基板的上部中，所述第一离子注入区域具有多个线沟槽，所述多个线沟槽在第一水平方向上延伸并穿过所述第一离子注入区域；多个下电容器电介质膜，每个下电容器电介质膜配置为覆盖所述多个线沟槽中的相应线沟槽的内壁；多条掩埋导电线，每条部分地填充所述多个线沟槽中的相应线沟槽并且每条设置在所述多个下电容器电介质膜中的相应下电容器电介质膜上；多个第一下电容器接触，每个与所述多条掩埋导电线中的相应掩埋导电线接触；以及多个第二下电容器接触，与所述第一离子注入区域接触。
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