买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所

摘要：本发明公开了一种大尺寸211晶向低位错密度锑化铟InSb晶体及其生长方法，大尺寸211晶向低位错密度锑化铟InSb晶体生长方法包括：制备满足位错精度要求的211晶向InSb籽晶；将一定比例的原材料In和Sb装入炉膛内，并控制炉膛内环境参数，以在InSb晶体生长过程中，In‑Sb偏离1:1摩尔比在误差范围内；将制备好的211晶向InSb籽晶插入熔体表面进行熔接，并控制晶体拉速、转速以及坩埚转速，以使得InSb晶体横截面轮廓与圆形的相似度大于阈值。采用本发明制备InSb晶体，解决了籽晶位错的遗传效应，降低晶体生长过程中的热应力以及热应力差异，避免了In‑Sb比例失衡问题，从而减少位错缺陷，提高InSb晶体的质量和成品率。

主权项：1.一种大尺寸211晶向低位错密度锑化铟InSb晶体生长方法，其特征在于，包括：制备满足位错精度要求的211晶向InSb籽晶；将一定比例的原材料In和Sb装入炉膛内，并控制所述炉膛内环境参数，以在InSb晶体生长过程中，In-Sb偏离1:1摩尔比在误差范围内；将制备好的211晶向InSb籽晶插入熔体表面进行熔接，并控制晶体拉速、转速以及坩埚转速，以使得InSb晶体横截面轮廓与圆形的相似度大于阈值；在等径阶段，控制直径角度浮动小于等于±5°，控制直径大于等于两英寸；在放肩阶段，控制放肩角度在5°～15°范围内、放肩角度浮动小于等于±5°；在收尾阶段，控制收尾角度在-5°～-20°范围内、收尾角度浮动小于等于±5°；所述将一定比例的原材料In和Sb装入炉膛内，并控制所述炉膛内环境参数，以在InSb晶体生长过程中，In-Sb偏离1:1摩尔比在误差范围内，包括：将满足In：Sb＝1：1.01～1.1摩尔比的原材料装入炉膛内，并向所述炉膛内充入氢气，控制所述炉膛内气体压力大于等于1.05个大气压、气体流速大于等于1Lmin、加热冷室壁温度至100℃以上；所述方法还包括：在晶体生长过程中，控制生长界面为微凸界面；所述制备满足位错精度要求的211晶向籽晶，包括：选取满足位错精度要求的211晶向InSb晶体，并从该晶体上切割出籽晶；对所述籽晶进行平整度处理；所述籽晶呈长方体或圆柱体；所述对籽晶进行平整度处理，包括：使用砂纸打磨或者使用研磨砂研磨所述籽晶表面，以去除所述籽晶表面的切割损伤层；使用腐蚀液处理去除切割损伤层后的籽晶，以去除所述籽晶表面的机械加工损伤层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种大尺寸<211>晶向低位错密度锑化铟InSb晶体及其生长方法