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申请/专利权人：宇泽半导体(云南)有限公司
摘要：本实用新型涉及一种改善120炉氩气吹拂方式的装置，属于单晶硅制造技术领域。所述的改善120炉氩气吹拂方式的装置包括单晶炉炉盖阀仓、挡片；所述的单晶炉炉盖阀仓内腔中心竖直放置有晶棒，晶棒的上端为籽晶，单晶炉炉盖阀仓的侧面开设有氩气进气口，氩气进气口内侧的单晶炉炉盖阀仓内壁上设置有挡片，挡片为匚形结构片，氩气进气口正对挡片的竖直板内壁面，挡片的两块横板分别固定于氩气进气口上侧的单晶炉炉盖阀仓内壁上和氩气进气口下侧的单晶炉炉盖阀仓内壁上。本实用新型减少了由于氩气从单一方向大流量吹拂造成的晶体掉棒，划弧，水冷屏挂灰等问题，改善了氧含量、碳含量、少子寿命及电阻率的分布及散热不均匀的问题，提高了晶棒的品质。
主权项：1.一种改善120炉氩气吹拂方式的装置，其特征在于：所述的改善120炉氩气吹拂方式的装置包括单晶炉炉盖阀仓（1）、挡片（2）；所述的单晶炉炉盖阀仓（1）内腔中心竖直放置有晶棒（4），晶棒（4）的上端为籽晶（5），单晶炉炉盖阀仓（1）的侧面开设有氩气进气口（3），氩气进气口（3）内侧的单晶炉炉盖阀仓（1）内壁上设置有挡片（2），挡片（2）为匚形结构片，氩气进气口（3）正对挡片（2）的竖直板内壁面，挡片（2）的两块横板分别固定于氩气进气口（3）上侧的单晶炉炉盖阀仓（1）内壁上和氩气进气口（3）下侧的单晶炉炉盖阀仓（1）内壁上。
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