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申请/专利权人：重庆邮电大学
摘要：本发明请求保护一种用于电源管理芯片的高PSRR基准参考电路，包括自偏置前调整电路及基准参考核心电路。本发明采用自偏置前调整电路为基准参考核心电路提供工作电源，提高电路的电源抑制比；采用NPN三极管Q12与NPN三极管Q13作为误差放大器的输入对管且其发射极接电阻R6，有效地增加了误差放大器的共模输入范围，降低了电路的复杂度，在误差放大器的输出端接电容C1，提高了电路环路稳定性；采用工作在亚阈值区PMOS管M3提供的电流在电阻R2上产生的电压补偿NPN三极管Q9基极‑发射极电压VBE9的温度高阶非线性，从而获得高PSRR、低温漂系数的基准参考电压，进而实现高PSRR基准参考电路。
主权项：1.一种用于电源管理芯片的高PSRR基准参考电路，其特征在于，包括：自偏置前调整电路1及基准参考核心电路2，其中，所述自偏置前调整电路1的信号输出端连接所述基准参考核心电路2的信号输入端，所述自偏置前调整电路1通过耗尽型NMOS管M2为所述基准参考核心电路2提供工作电源，所述基准参考核心电路2采用工作在亚阈值区PMOS管M3提供的电流在电阻R2上产生的电压补偿NPN三极管Q9基极-发射极电压VBE9的温度高阶非线性，进而在电路输出端VREF产生一个高电源抑制比PSRR的基准参考电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学 一种用于电源管理芯片的高PSRR基准参考电路
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