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申请/专利权人：重庆邮电大学

摘要：本发明请求保护一种用于DC‑DC开关电源芯片的高PSRR带隙电压源电路，包括电压预调整器及带隙基准核心电路2。本发明采用三极管Q8、三极管Q9、电阻R9及NMOS管M15构成负反馈环路使带隙基准核心电路稳定，采用三极管基极‑发射极嵌位技术产生正温度系数电压并与三极管基极‑发射极电压实现带隙基准电压，采用二极管反偏饱和电流的温度非线性对带隙基准电压进行温度补偿来实现低温漂带隙基准电压；采用电压预调整器为带隙基准核心电路提供工作电源电压、电压预调整器与带隙基准核心电路构成负反馈环路等技术来提高电路的电源抑制比PSRR，从而获得用于DC‑DC开关电源芯片的高PSRR低温漂的带隙基准参考电压。

主权项：1.一种用于DC-DC开关电源芯片的高PSRR带隙电压源电路，其特征在于，包括：电压预调整器1及带隙基准核心电路2，其中，所述电压预调整器1的信号输出端接所述带隙基准核心电路2的信号输入端，所述带隙基准核心电路2的信号输出端接所述电压预调整器1的信号输入端，所述带隙基准核心电路2主要通过NPN三极管Q8基极-发射极与NPN三极管Q6基极-发射极的嵌位产生的电流、NPN三极管Q11构成反偏二极管的反向饱和电流以及NPN三极管Q6基极-发射极电压VBE6来产生低温漂系数的带隙基准参考电压，所述电压预调整器1主要通过PMOS管M9与PMOS管M10对所述带隙基准核心电路2提供工作电源电压，从而获得高电源抑制比PSRR低温漂系数的带隙基准参考电压；所述电压预调整器1包括：PMOS管Ms1、PMOS管Ms2、PMOS管Ms3、PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14、电阻Rs1、电阻R1、电阻R2、NPN三极管Q1以及NPN三极管Q2，其中PMOS管Ms2的源极分别与PMOS管Ms1的源极、PMOS管Ms3的源极、PMOS管M1的源极、PMOS管M3的源极、PMOS管M7的源极、PMOS管M9的源极以及外部输入端INPUT相连，PMOS管Ms2的栅极分别与PMOS管Ms2的漏极、电阻Rs1的一端、PMOS管Ms1的漏极以及PMOS管Ms3的栅极相连，PMOS管M1的漏极与PMOS管M2的源极相连，PMOS管M2的漏极分别与PMOS管Ms1的栅极、PMOS管M1的栅极、PMOS管M3的栅极、PMOS管M7的栅极、PMOS管M9的栅极以及电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端分别与PMOS管M2的栅极、PMOS管M4的栅极、PMOS管M8的栅极、PMOS管M10的栅极以及NMOS管M5的漏极相连，NMOS管M5的源极与NPN三极管Q1的集电极相连，NPN三极管Q1的发射极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端分别与电阻Rs1的另一端、NPN三极管Q2的发射极、NMOS管M13的源极、NMOS管M12的源极、NMOS管M14的源极以及外部地GND相连，PMOS管M3的漏极与PMOS管M4的源极相连，PMOS管M4的漏极分别与PMOS管Ms3的漏极、NMOS管M5的栅极、NMOS管M6的栅极以及NMOS管M6的漏极相连，NMOS管M5的源极分别与NPN三极管Q1的基极、NPN三极管Q2的基极以及NPN三极管Q2的集电极相连，PMOS管M7的漏极与PMOS管M8的源极相连，PMOS管M8的漏极分别与NMOS管M13的漏极、NMOS管M13的栅极以及NMOS管M14的栅极相连，PMOS管M9的漏极与PMOS管M10的源极相连，PMOS管M10的漏极分别与PMOS管M25的源极、PMOS管M24的源极、PMOS管M21的源极、PMOS管M20的源极、PMOS管M18的源极、PMOS管M16的源极、NMOS管M15的漏极、电阻R3的一端、NMOS管M12的漏极以及PMOS管M11的源极相连，PMOS管M11的漏极分别与NMOS管M12的栅极以及NMOS管M14的漏极相连；所述电压预调整器1中，PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、NPN三极管Q1、NPN三极管Q2、电阻R1及电阻R2构成所述电压预调整器1的偏置电路，PMOS管Ms1、PMOS管Ms2、PMOS管Ms3及电阻Rs1构成偏置电路的启动电路，PMOS管M9和PMOS管M10构成共源共栅电流源并为所述带隙基准核心电路2提供工作电源电压VREG，即PMOS管M10的漏极输出电压VREG为所述带隙基准核心电路2提供工作电源电压，因而当电路输入端INPUT具有波动电压vin时，所述带隙基准核心电路2的工作电源电压VREG的波动电压vreg小于电路输入端INPUT的波动电压vin，进而抑制电路输入端INPUT的波动电压vin对电路输出端VREF的输出电压VREF的影响。

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百度查询： 重庆邮电大学 一种用于DC-DC开关电源芯片的高PSRR带隙电压源电路