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申请/专利权人：北京全路通信信号研究设计院集团有限公司
摘要：本发明公开了一种多级CTLE发射极电路及芯片。该多级CTLE发射极电路包括：级联连接的CTLE电路和均衡输出极电路；均衡输出极电路包括：输出级结构、偏置结构和第一可调结构；输出级结构的输入端与CTLE电路的输出端电连接，输出级结构的输出端作为CTLE发射极电路的输出端；偏置结构连接于输出级结构和第一可调结构之间，偏置结构由偏置电压控制；可调结构用于调整均衡输出极电路的零极点。本发明实施例的技术方案可提供多个零极点，增加补偿位置，提高补偿幅度，解决单级CTLE电路均衡引起的带内不平整问题。
主权项：1.一种多级CTLE发射极电路，其特征在于，包括：级联连接的CTLE电路和均衡输出极电路；所述CTLE电路的输入端作为所述多级CTLE发射极电路的输入端，CTLE电路的输出端与所述均衡输出极电路的输入端电连接，所述均衡输出极电路的输出端作为所述CTLE发射极电路的输出端；所述均衡输出极电路包括：输出级结构、偏置结构和第一可调结构；所述输出级结构的输入端与所述CTLE电路的输出端电连接，所述输出级结构的输出端作为所述多级CTLE发射极电路的输出端；所述偏置结构连接于所述输出级结构和所述第一可调结构之间，所述偏置结构由偏置电压控制；所述第一可调结构用于调整所述均衡输出极电路的零极点。
全文数据：
权利要求：
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