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摘要：本发明公开了一种基于Lange耦合器的射频低噪声放大器涉及5G电路技术，针对现有技术中传统级间匹配方案结构较为复杂，损耗也较高等问题提出本方案。特点在于第一级放大单元和第二级放大单元之间通过Lange耦合器进行耦合连接。优点在于，通过在输入输出匹配电路和级间匹配电路中适当地使用传输线和耦合器，扩展放大器的带宽，提升低噪声放大器的性能。
主权项：1.一种基于Lange耦合器的射频低噪声放大器，其特征在于，第一级放大单元和第二级放大单元之间通过Lange耦合器进行耦合连接；包括依次电性连接的输入匹配单元、共源放大单元、Lange耦合器、共源共栅放大单元和输出匹配单元；其中共源放大单元是所述第一级放大单元，共源共栅放大单元是所述第二级放大单元；所述Lange耦合器的隔离端外接第二栅极偏置电压（Vg2），Lange耦合器的输入端连接共源放大单元的输出端，Lange耦合器的直通端外接第一漏极偏置电压（Vd1），Lange耦合器的耦合端连接共源共栅放大单元的输入端；所述共源放大单元包括第一晶体管（M1）、第二电阻（R2）、第一电感（L1）、第三电容（C3）、第二电容（C2）和第二电感（L2）；所述第二电阻（R2）、第一电感（L1）和第三电容（C3）依次串联后并联在第一晶体管（M1）的栅极和漏极之间；所述第二电容（C2）并联在第一晶体管（M1）的栅极和源极之间；第一晶体管（M1）的栅极为共源放大单元的输入端，第一晶体管（M1）的漏极为共源放大单元的输出端，第一晶体管（M1）的源极通过第二电感（L2）接地；所述共源共栅放大单元包括第二晶体管（M2）、第三晶体管（M3）、第四电感（L4）、第四传输线（TL4）、第五电容（C5）和第三电阻（R3）；所述第二晶体管（M2）的栅极为共源共栅放大单元的输入端，第二晶体管（M2）的源极通过第四电感（L4）接地，第二晶体管（M2）的漏极与第三晶体管（M3）的源极共点后依次通过第四传输线（TL4）和第五电容（C5）后接地；所述第三晶体管（M3）的栅极通过第三电阻（R3）外接第三栅极偏置电压（Vg3），第三晶体管（M3）的漏极为共源共栅放大单元的输出端。
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百度查询： 华南理工大学 一种基于Lange耦合器的射频低噪声放大器
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