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摘要：本实用新型公开了一种低噪声放大器芯片的封装结构，包括用于焊接固定低噪声放大器芯片的基板以及散热盖板，散热盖板与基板之间设有具有缓冲作用的连接件，连接件用于将散热盖板与基板连接并将低噪声放大器芯片封装于内部，低噪声放大器芯片与散热盖板之间设有用于将低噪声放大器芯片热量传递至散热盖板的导热层，散热盖板由多个散热金属板构成，相邻两散热金属板之间一体成型水冷金属管，水冷金属管内部具有水冷通道，水冷通道内填充有冷却液，水冷金属管底面、散热金属板底面与导热层顶面紧密贴合。本实用新型能有效提高封装结构的对芯片的散热效果，延长芯片使用寿命。
主权项：1.一种低噪声放大器芯片的封装结构，其特征在于，包括用于焊接固定低噪声放大器芯片6的基板1以及散热盖板2，散热盖板2与基板1之间设有具有缓冲作用的连接件5，连接件5用于将散热盖板2与基板1连接并将低噪声放大器芯片6封装于内部，低噪声放大器芯片6与散热盖板2之间设有用于将低噪声放大器芯片6热量传递至散热盖板2的导热层4，散热盖板2由多个散热金属板201构成，相邻两散热金属板201之间一体成型水冷金属管3，水冷金属管3内部具有水冷通道8，水冷通道8内填充有冷却液，水冷金属管3底面、散热金属板201底面与导热层4顶面紧密贴合。
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百度查询： 四川齐航盈创科技有限公司 一种低噪声放大器芯片的封装结构
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