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申请/专利权人：南开大学
摘要：本申请提供了一种具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物和垂直单分子膜忆阻器。具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物由两个互锁的大环分子组成，分别为含基团R2的环和含基团R1和R3的环，两个互锁的大环分子具有两个结合位点，能够通过栅调控驱动环状分子沿定环旋转。将上述具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物应用于垂直单分子膜忆阻器，能够实现其高阻值与低阻值之间的转换调控。垂直单分子膜忆阻器包括自组装单分子膜层，自组装单分子膜层包括具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物；该化合物中的基团与源极通过化学键连接，含基团R1的环状结构与漏极之间存在范德华力作用，从而获得结构稳定的可通过栅极调控的垂直单分子膜忆阻器。
主权项：1.一种具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物，其结构式如式A所示： 其中，R1选自式I或式II所示基团， R2选自式III或式IV所示基团， R3选自式V或式VI所示基团，
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南开大学 具有拓扑纠缠结构的[2]索烃化合物和垂直单分子膜忆阻器
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