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申请/专利权人：西安翔腾微电子科技有限公司
摘要：本发明涉及一种可修调的PTAT电流基准电路及方法。本发明包括NMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PNP型三极管Q1、PNP型三极管Q2、电阻R1和电阻R2。本发明用负温度系数的电路来修调PTAT的电流，使两者和的电流温度系数为抛物线型，极大的改善了基准电流的温度系数，而且也得到一个基准的电流。
主权项：1.一种可修调的PTAT电流基准电路，包括NMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PNP型三极管Q1、PNP型三极管Q2和电阻R1，PNP型三极管Q2和电阻R1，所述PNP型三极管Q1和PNP型三极管Q2的集电极和基极接地，所述PNP型三极管Q1的发射极接NMOS管M1的源端，所述PNP型三极管Q2的发射极接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端接NMOS管M2的源端，所述NMOS管M1的栅极和NMOS管M2的栅极接在一起并接在NMOS管M1的漏极，所述NMOS管M1的漏极和PMOS管M3的漏极接在一起，所述PMOS管M3的源极接电源VDD，所述PMOS管M3的栅极和PMOS管M4的栅极接在一起并接在PMOS管M4的漏极，所述PMOS管M4的源端接电源VDD，所述PMOS管M4的漏极和NMOS管M2的漏极接在一起，所述PMOS管M4的栅极接PMOS管M5的栅极，所述PMOS管M5的源端接电源VDD，其特征在于：所述基准电路还包括PMOS管M6、PMOS管M7和电阻R2，所述PMOS管M6的漏极和PMOS管M5的漏极连在一起，所述PMOS管M6的源端接电源VDD，所述PMOS管M6的栅极和PMOS管M7的栅极连在一起，所述PMOS管M7的漏极连在电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端接地。
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