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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种自偏置结构的PTAT电流产生电路，涉及开关电源技术领域，用以提高参考电流源的抗干扰能力。该电路在自偏置电路上，加入了4个三极管，Q1、Q2的集电极分别连接到自偏置电路，Q1的基极与Q2的基极相连，Q2的基极和集电极相连；Q1的发射极分别连接Q3的集电极和Q4的基极，Q2的发射极分别连接Q4的集电极和Q3的基极；Q3的发射极经电阻R1接地，Q4的发射极接地；电流源由自偏置电路输入；PMOS管M1镜像自偏置电路的电流。相较于传统参考电流源，本发明结构更简单、性能更好且与电源电压、温度无关，并改进了电流源的自偏置结构，从而进一步提高了参考电流源的精度。
主权项：1.一种自偏置结构的PTAT电流产生电路，其特征在于，包括PMOS管M1、自偏置电路、双极性晶体管Q1、双极性晶体管Q2、双极性晶体管Q3和双极性晶体管Q4；其中：所述双极性晶体管Q1、双极性晶体管Q2的集电极分别连接到所述自偏置电路，所述双极性晶体管Q1的基极与双极性晶体管Q2的基极相连，所述双极性晶体管Q2的基极和集电极相连；所述双极性晶体管Q1的发射极分别连接双极性晶体管Q3的集电极和双极性晶体管Q4的基极，所述双极性晶体管Q2的发射极分别连接双极性晶体管Q4的集电极和双极性晶体管Q3的基极；所述双极性晶体管Q3的发射极经电阻R1接地，所述双极性晶体管Q4的发射极接地；电流源由所述自偏置电路输入；所述PMOS管M1镜像所述自偏置电路的电流。
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百度查询： 西安电子科技大学 一种自偏置结构的PTAT电流产生电路
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