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申请/专利权人：昆山晶科微电子材料有限公司

摘要：本申请涉及一种半导体用BOE蚀刻液及其制备方法，涉及半导体蚀刻的领域，其包括如下质量分的组分：氢氟酸水容液40‑45份；氟化铵水容液230‑265份；填充剂3‑5份；表面活性剂3‑5份；改性分散纳米粒子24‑34份；纳米氮化硼8‑10份；所述改性分散纳米粒子原料包括环氧基改性纳米碳、亲水活性分散液与纳米氮化硼。本申请具在蚀刻液体系中添加有改性分散纳米粒子，可将蚀刻后半导体表面的孔洞进行填充，从而降减少了半导体材料质量下降的现象的发生。

主权项：1.一种半导体用BOE蚀刻液，其特征在于：包括如下组分：氢氟酸水溶液、氟化铵水溶液、填充剂、表面活性剂、改性分散纳米粒子、纳米氮化硼；所述改性分散纳米粒子原料包括环氧基改性纳米碳与亲水活性分散液；所述亲水活性分散液原料包括对-β-羟基乙砜苯胺硫酸酯、碳酸钠水溶液、三氯三聚氰与丙酮；所述表面活性剂为聚乙二醇辛基苯基醚，所述填充剂为硫酸钠；所述亲水活性分散液采用如下方法制备而成：称取对-β-羟基乙砜苯胺硫酸酯17.65g分散于30mL去离子水中，边搅拌边加入1.25molL的碳酸钠水溶液8.4mL，在35℃的条件下反应45min后得到对-β-羟基乙砜苯胺硫酸酯-碳酸钠溶液；再称取14.7g的三氯三聚氰分散于60mL去离子水中，0℃的条件下搅拌30min，得到三氯三聚氰水溶液；将得到的对-β-羟基乙砜苯胺硫酸酯-碳酸钠溶液和三氯三聚氰水溶液混合，35℃的条件下搅拌30min，边搅拌边加入1.25molL的碳酸钠水溶液9.25mL，调节pH为3，反应4h后得到白色悬浊液；用饱和氯化钠溶液将白色悬浊液盐析，再用乙醇洗涤固体，并抽滤，用甲醇再次洗涤固体，最后在60℃的烘箱中干燥2h，研磨后得到固体粉末，将得到的固体粉末加入至200ml的丙酮中，搅拌3h后，得到亲水活性分散液；所述环氧基改性纳米碳采用如下方法制备而成：将9.49gγ-氨丙基三乙氧基硅烷、质量分数为25%的氨水1.51g与质量分数为90%的乙醇100ml混合，并加入19g纳米碳，在2500rmin的转速下超声处理30min，随后在40℃的条件下以300rmin转速下再搅拌16h，随后以8000rmin的转速离心3min，将离心后的固体粉末使用乙醇洗涤，洗涤后在60℃的环境下烘干并研磨，得到环氧基改性纳米碳；所述改性分散纳米粒子采用如下步骤制备而成：将制备的150ml亲水活性分散液与9.3g的环氧基改性纳米碳混合，并加入1.25molL的碳酸钠水溶液20ml，调节pH值为5，在40℃的条件下搅拌3h，离心后去除多余的溶液，使用甲醇和乙醇将固体洗涤后，在50℃的烘箱中烘干1.5h，得到改性分散纳米粒子；所述BOE蚀刻液采用如下方法制备而成：将质量分数为49%的氟化氢水溶液40ml与质量分数为40%的氟化铵水溶液230ml混合，搅拌后得到混合溶液A；将制备的9g改性分散纳米粒子和8.18g的纳米氮化硼加入至混合溶液A中，随后加入3g表面活性剂与3g填充剂，搅拌5h后得到BOE蚀刻液。

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