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申请/专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体BOE蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：氢氟酸2‑10份；氟化铵20‑40份；复合表面活性剂0.02‑0.1份；复合消泡剂0.3‑1.5份；超纯水25‑40份。本发明还公开了给蚀刻液的制备方法。本发明所选的杂交型双链氟碳表面活性剂A结构为双链型氟碳，分子中包含一个碳氟链和一个碳氢链，此表面活性剂不仅可以降低临界胶束浓度，降低溶液的表面张力，而且还可以降低溶液与其他表面活性剂之间的界面张力，有利于溶解其余的表面活性剂。表面活性剂B的加入可以使溶液的表面张力再次降低。复合消泡剂的应用可以同时从吸附表面改变液膜受力和发生形变作用共同消泡，从而提高对于蚀刻液的消泡效率。
主权项：1.一种半导体BOE蚀刻液，其特征在于，按照重量份计算，包括如下组分： 其中，所述的复合表面活性剂包括杂交型双链氟碳表面活性剂A和全氟磺酰胺类表面活性剂B；所述的复合消泡剂包括磷酸酯类消泡剂C和聚醚类消泡剂D。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江奥首材料科技有限公司 一种半导体BOE蚀刻液、其制备方法及用途
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