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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：一种蚀刻衬底的方法包括在蚀刻处理系统的槽中提供蚀刻溶液，其中该蚀刻处理系统被配置为控制该蚀刻溶液的温度、该蚀刻溶液的浓度以及该蚀刻溶液在该槽内的流动。该衬底包含具有第一材料和第二材料的交替层的微加工结构，并且该蚀刻溶液包括蚀刻该第一材料并导致要从该衬底上移除的蚀刻产物的酸。该方法进一步包括监测该蚀刻溶液内该蚀刻产物的浓度，并将该蚀刻溶液内该蚀刻产物的浓度维持在低于预定值，以防止该蚀刻产物以阻碍通过该蚀刻溶液蚀刻该第一材料的量沉积在该第二材料上。
主权项：1.一种蚀刻衬底的方法，该方法包括：在蚀刻处理系统的槽中提供蚀刻溶液，该蚀刻处理系统被配置为控制该蚀刻溶液的温度、该蚀刻溶液的浓度以及该蚀刻溶液在该槽内的流动；将衬底浸入该蚀刻溶液中，该衬底包含具有第一材料和第二材料的交替层的微加工结构，该蚀刻溶液包括蚀刻该第一材料的酸；以第一蚀刻速率开始该第一材料的蚀刻，该第一材料的蚀刻导致要从该衬底上移除的蚀刻产物；监测该蚀刻溶液内该蚀刻产物的浓度；响应于识别出该蚀刻产物的浓度大于预定值，将该第一蚀刻速率降低至第二蚀刻速率；以及其中，通过降低该蚀刻溶液的温度来执行降低该第一蚀刻速率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 3D NAND结构中氮化硅的蚀刻和二氧化硅的沉积控制
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