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申请/专利权人：深圳市昇维旭技术有限公司
摘要：本申请提供了一种蚀刻方法和蚀刻设备。蚀刻方法包括：步骤S1：利用等离子体介质损伤衬底表面的待蚀刻材料层，使待蚀刻材料层被等离子体介质损伤的部分形成为氧化损伤层；步骤S2：在第一温度下，利用第一气体分压的酸性蚀刻气体进行蚀刻氧化损伤层而不蚀刻待蚀刻材料层未被损伤的部分的蚀刻反应；其中，蚀刻反应开始前有初始氢供体存在于氧化损伤层上。蚀刻设备，可用于实现上述蚀刻方法。本蚀刻方法，可用于蚀刻原子层厚度的薄膜，同时减少衬底损伤风险。
主权项：1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：利用等离子体介质损伤衬底表面的待蚀刻材料层，使所述待蚀刻材料层被所述等离子体介质损伤的部分形成为氧化损伤层；步骤S2：在第一温度下，利用第一气体分压的酸性蚀刻气体进行蚀刻所述氧化损伤层而不蚀刻所述待蚀刻材料层未被损伤的部分的蚀刻反应；其中，所述蚀刻反应开始前有初始氢供体存在于所述氧化损伤层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市昇维旭技术有限公司 蚀刻方法和蚀刻设备
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