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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种改善硅片外延后平坦度的方法，所属硅片加工工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：通过选取纯度高的多晶材料、高纯度的石英坩埚及洁净的拉晶环境拉制出低污染高质量的单晶棒。第二步：通过截断、滚磨得到尺寸合适的晶段，然后通过控制线切割工艺的过程稳定性，如出刀和入刀稳定性的控制，得到平坦度参数如Warp、Bow、TTV较优异，边缘无严重形变的线切割片。第三步：切割片再经过抛光处理工序得到镜面抛光片，包括磨片、倒角、腐蚀、双面抛光、单面抛光、平坦度测定、最终洗净。具有操作便捷和质量稳定性好的特点。测定硅片边缘是否均一，实现过滤掉边缘不均一硅片功能，筛选出厚度均一性较好的硅片用于外延生长，达到高平坦度要求。
主权项：1.一种改善硅片外延后平坦度的方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：通过选取纯度高的多晶材料、高纯度的石英坩埚及洁净的拉晶环境拉制出低污染高质量的单晶棒；外延膜厚轮廓的优化采用在固定衬底型貌的前提下，通过调整感应器的高度及转速、外延炉温区分布、TCS流场分布和载气流量大小调节实现对外延厚度的控制；第二步：通过截断、滚磨得到尺寸合适的晶段，然后通过控制线切割工艺的过程稳定性，如出刀和入刀稳定性的控制，得到平坦度参数如Warp、Bow、TTV较优异，边缘无严重形变的线切割片；第三步：切割片再经过抛光处理工序得到镜面抛光片，包括磨片、倒角、腐蚀、双面抛光、单面抛光、平坦度测定、最终洗净；平坦度测定通过在机台内预设一个基准轮廓曲线，然后通过将边缘10mm出膜厚值与最边缘通常是去边2mm或者3mm处的膜厚值连成线，然后计算该曲线斜率，按照不同的斜率分档，0±0.25、＞0.25和＜-0.25各一档区分后，实现自动分档功能，另外再导入一组公式（厚度Max-厚度Min）厚度Max+厚度Min×100%,计算得到边缘厚度的偏差。
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权利要求：
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