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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种西格玛凹槽的制造方法，包括：步骤一、进行第一次刻蚀在半导体衬底的选定区域中形成U型凹槽。步骤二、进行第二次刻蚀使凹槽的顶部区域的开口宽度扩大。步骤三、进行对半导体衬底的不同晶面的刻蚀速率不同的第三次刻蚀，使凹槽扩展为剖面呈西格玛型的西格玛凹槽，顶部子凹槽的宽度增加使西格玛凹槽的上侧面向外侧移动并从而使顶点向上移动。本发明能减少西格玛凹槽的侧面顶点到顶部表面之间的间距，从而能提升器件性能。
主权项：1.一种西格玛凹槽的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀在半导体衬底的选定区域中形成凹槽，所述第一次刻蚀采用干法刻蚀使所述凹槽呈U型；步骤二、进行第二次刻蚀，所述第二次刻蚀使所述凹槽的顶部区域的开口宽度扩大，所述凹槽的深度不变，令所述凹槽的开口扩大的顶部部分为顶部子凹槽，所述顶部子凹槽的底部区域为底部子凹槽；步骤三、进行第三次刻蚀，所述第三次刻蚀对所述半导体衬底的不同晶面的刻蚀速率不同并使所述凹槽扩展为剖面呈西格玛型的西格玛凹槽，所述西格玛凹槽的各侧面具有上侧面、下侧面和所述上侧面和所述下侧面相交形成的顶点，所述上侧面和所述下侧面都为所述第三次刻蚀的刻蚀速率最慢的面，通过增加所述顶部子凹槽的宽度，使所述上侧面向所述西格玛凹槽的外侧移动和使所述顶点向上移动，所述顶点的上移使所述顶点到所述半导体衬底的顶部表面的第一间距减少。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 西格玛凹槽的制造方法
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