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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2022-01-12
公开（公告）日：2024-03-08
公开（公告）号：CN115198236B
专利技术分类：..溅射[2006.01]
专利摘要：一种沉积系统及沉积方法，沉积系统能够控制沉积在基材上的靶材材料的量和或沉积在基材上的靶材材料的方向。根据本揭露的沉积系统包含基材处理腔。沉积系统包含位于基材处理腔室中的基材基座，基材基座配置以支撑基材。靶材围住基材处理腔室。准直器具有多个中空结构设置在靶材与基材之间，其中中空结构的至少一者的长度是可调整的。
专利权项：1.一种沉积方法，用以在一基材处理腔室中将一材料从一靶材沉积于一基材上，其特征在于，该沉积方法包含：沉积该材料的一薄膜于该基材上；在多个位置测量该基材上的该薄膜的一厚度，其中该些位置包含一第一位置；以及基于在该些位置的测量，对一准直器中多个中空结构中的每一者各自的长度进行一确定，其中该确定包含确定对应该第一位置的该中空结构的一第一中空结构的一第一长度。
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 沉积系统及沉积方法
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