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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

摘要：一种光学邻近修正中的关键尺寸偏差修正方法，包括：获取第一修正版图；根据第一修正版图形成掩膜版；获取掩膜关键尺寸负载模型；提供基底以及位于基底上的图形化层；对掩膜版进行曝光处理，在图形化层上形成若干图形化结构；获取显影关键尺寸负载模型；以图形化结构为掩膜刻蚀基底，形成若干器件结构；获取刻蚀关键尺寸负载模型；根据各个关键尺寸负载模型，对第一修正版图进行光学邻近修正，获取第二修正版图。通过在器件结构的制作过程中，获取各个相邻制程之间的尺寸偏差，进而构建对应的关键尺寸负载模型。并以此对第一修正版图进行光学邻近修正，保证以第二修正版图基础进行半导体制程时，能够有效提升器件结构的尺寸精度。

主权项：1.一种光学邻近修正中的关键尺寸偏差修正方法，其特征在于，包括：获取第一修正版图，所述第一修正版图包括相邻的第一区和第二区，所述第一区具有若干第一修正图形，所述第一修正图形具有第一尺寸，且所述第一区的图形密度大于所述第二区的图形密度；根据所述第一修正版图形成掩膜版，所述掩膜版具有若干与所述第一修正图形相应的掩膜图形，所述掩膜图形具有第二尺寸；获取第一图形密度，并根据所述第一图形密度、以及所述第一尺寸和所述第二尺寸之间的关键尺寸偏差进行建模，获取掩膜关键尺寸负载模型；提供衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的图形化层；对所述掩膜版进行曝光处理，使得所述图形化层形成若干与所述掩膜图形相对应图形化结构，所述图形化结构具有第三尺寸；获取第二图形密度，并根据所述第二图形密度、以及所述第二尺寸和所述第三尺寸之间的关键尺寸偏差进行建模，获取显影关键尺寸负载模型；以所述图形化结构为掩膜刻蚀所述基底，在所述基底上形成若干与所述图形化结构相应的器件结构，所述器件结构具有第四尺寸；获取第三图形密度，并根据所述第三图形密度、以及所述第三尺寸和所述第四尺寸之间的关键尺寸偏差进行建模，获取刻蚀关键尺寸负载模型；根据所述掩膜关键尺寸负载模型、显影关键尺寸负载模型以及刻蚀关键尺寸负载模型，对所述第一修正版图进行关键尺寸的补偿，并在关键尺寸的补偿之后进行光学邻近修正，获取第二修正版图，所述第二修正版图具有若干与所述第一修正图形相对应的第二修正图形。

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