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申请/专利权人：芯恩(青岛)集成电路有限公司
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种半导体MOS器件中西格玛沟槽的制作方法。本申请的制作方法中，采用含氧等离子体进行干法刻蚀的同时，能够在硅衬底上形成硅氧化层，然后以硅衬底上与硅氧化层相接的硅界面为作为刻蚀截止标识，在对硅氧化层刻蚀过程中，检测到硅氧化层与硅衬底相接的硅界面全部裸露时停止刻蚀，然后通过西格玛沟槽刻蚀溶液对初始沟槽刻蚀形成西格玛沟槽。相比通过以刻蚀时间控制刻蚀停止时机，本申请中采用硅衬底上硅界面为标识，在刻蚀深度达到目标后停止刻蚀，刻蚀出的沟槽一致性好。通过调控硅氧化层的厚度即可控制刻蚀深度，进而控制西格玛沟槽刻蚀的的关键顶端深度，能够刻蚀出较浅关键顶端深度的西格玛沟槽。
主权项：1.一种半导体MOS器件中西格玛沟槽的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在硅衬底1上制作栅极4，再在硅衬底1和栅极4上沉积掩膜层2；步骤二，对覆盖硅衬底1上目标区域的掩膜层2进行含氧等离子体处理，直到覆盖所述目标区域的掩膜层2被刻蚀掉，露出所述目标区域，所述目标区域处于所述栅极4旁侧；处于栅极4左右两侧的掩膜层2形成侧墙3；步骤三，对所述目标区域继续进行所述含氧等离子体处理，直至在所述目标区域的表层形成出硅氧化层5；步骤四，刻蚀所述硅氧化层5，并在刻蚀过程中，实时检测刻蚀进度，在检测到所述硅氧化层5与硅衬底1相接的硅界面全部裸露时停止刻蚀，此时在所述目标区域形成初始沟槽6；步骤五，使用西格玛沟槽刻蚀溶液对所述初始沟槽6进行刻蚀，形成西格玛沟槽7。
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权利要求：
百度查询： 芯恩(青岛)集成电路有限公司 一种半导体MOS器件中西格玛沟槽的制作方法
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