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申请/专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
摘要：本发明涉及一种调控CuInSe2量子点辐射寿命的方法，通过配体交换，将三线态能量接近CuInSe2量子点激子态的配体修饰在量子点表面，CuInSe2量子点的激子能量能很快地转移到配体分子的三线态上，同时由于分子三线态的能量接近CuInSe2量子点激子能量，所以还能发生从分子三线态回到CuInSe2量子点激子态的能量转移，从而延长CuInSe2量子点激子态的寿命，本方法能将辐射寿命为百纳秒级的量子点激子态的寿命延长至微秒量级。作为优选方案，表面配体采用5‑并四苯甲酸5‑TCA，能将原本辐射寿命为150ns的CuInSe2量子点的寿命延长到69μs。
主权项：1.一种调控CuInSe2量子点激发态寿命的方法，其特征在于：将发射中心波长处于800-950nm的CuInSe2量子点的表面修饰三线态能级处于1.0-1.5eV的配体分子；所述配体分子为并四苯甲酸的一种或两种以上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院大连化学物理研究所 一种延长CuInSe2量子点荧光寿命的方法
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