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一种基于CdSe/ZnS材料片上集成的窄带光电探测器 

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申请/专利权人:鹃湖实验室

摘要:本发明公开了一种基于CdSeZnS材料片上集成的窄带光电探测器。窄带光电探测器包括依次层叠布置的光纤面板层、上电极层、光电感应层、下电极层和信号处理电路层,上电极层和下电极层均电连接信号处理电路层。本发明的窄带光电探测器基于厚体半导体材料中电荷收集变窄的概念,采用光纤面板与CdSeZnS带隙渐变半导体混合材料,利用角度倾斜,增加入射光穿透深度的同时可减小所得光谱的半峰宽,具有相对较高的光电量子效率的同时,实现高效的窄带光谱探测,克服现有技术中光电探测器在窄带光谱探测方面局限性问题。

主权项:1.一种基于CdSeZnS材料片上集成的窄带光电探测器,其特征在于:包括依次层叠布置的光纤面板层100、上电极层200、光电感应层300、下电极层210和信号处理电路层400,上电极层200和下电极层210均电连接信号处理电路层400。

全文数据:

权利要求:

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