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申请/专利权人：上海功成半导体科技有限公司
摘要：本申请的实施例提出了一种超结器件及电子器件。超结器件包括cell区和位于所述cell区两侧的终端区，超结器件还包括衬底、外延层和反形层，其中，衬底为第一导电类型；外延层位于衬底的一侧，外延层的cell区包括多个第一导电类型柱及多个第二导电类型柱，多个第一导电类型柱与多个第二导电类型柱依次交替排列；反形层设置于部分第一导电类型柱远离衬底的一侧，反形层为第二导电类型，反形层的两侧分别与相邻的两个第二导电类型柱电连接。本申请的超结器件能够使部分第二导电类型柱的宽度增加，从而增大栅漏电容，进而使开关过程中电流变化率和电压变化率降低，如此，能够大幅减小超结器件的开关震荡，降低超结器件的电磁干扰噪声。
主权项：1.一种超结器件，所述超结器件包括cell区和位于所述cell区两侧的终端区，其特征在于，所述超结器件还包括：衬底，所述衬底为第一导电类型；外延层，所述外延层位于所述衬底的一侧，所述外延层的cell区包括多个第一导电类型柱及多个第二导电类型柱，所述多个第一导电类型柱与所述多个第二导电类型柱依次交替排列；反形层，所述反形层设置于部分第一导电类型柱远离所述衬底的一侧，所述反形层为第二导电类型，所述反形层的两侧分别与相邻的两个第二导电类型柱电连接；所述第一导电类型柱为P型，所述超结器件还包括P-body层，所述P-body层位于未设有所述反形层的第一导电类型柱远离所述衬底的一侧，所述P-body层与所述反形层同层设置；所述反形层通过向所述第一导电类型柱的上方注入第二导电类型的离子形成，沿所述反形层的中部至相邻的第二导电类型柱的方向上，所述反形层的厚度逐渐减小；所述反形层的导电离子浓度小于与所述反形层相邻的第二导电类型柱的导电离子浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海功成半导体科技有限公司 一种超结器件及电子器件
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