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申请/专利权人：中国科学院金属研究所
摘要：本发明涉及MA2Z4合金薄膜材料制备领域，具体为一种成分连续可调的均匀掺杂单层MA2Z4合金薄膜的制备方法。以铜箔作为生长基底，采用物理气相沉积技术，在铜箔表面沉积含多种过渡族金属M的薄膜，通过在A源或Z源环境下退火处理实现多种M在铜箔基底中的预先储存，再引入Z或A，在低于铜熔点的高温下，已储存元素析出至铜箔表面发生反应，最终生长出均匀掺杂的单层MA2Z4合金薄膜，通过调控溅射M层厚度实现合金组分的连续可调。本发明具有制备工艺简单，掺杂均匀，组分连续可调，可大面积制备等特点，有望实现光学、电学、磁性、热学等特性的连续可调。为二维MA2Z4合金薄膜材料在电子器件、光电子器件、催化、压电等领域的产业化应用提供了可能。
主权项：1.一种成分连续可调的均匀掺杂单层MA2Z4合金薄膜的制备方法，其特征在于，采用物理气相沉积技术在铜箔表面沉积含两种或两种以上过渡金属元素M的薄膜，通过化学气相沉积在A源或Z源环境下退火处理实现两种及以上M在铜箔基底中的预先储存，再引入Z或A，在不高于铜熔点的反应温度下，已储存元素析出至铜箔表面发生反应，最终生长出均匀掺杂的单层MA2Z4合金薄膜，后续对铜箔基底进行刻蚀将其转移至任意基体；其中，M为过渡族金属元素，包括但不限于钼、钨、钛、锆、铪、钒、铌、钽或铬；A为第四主族元素，包括但不限于硅或锗；Z为第五主族元素，包括但不限于氮、磷或砷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院金属研究所 一种成分连续可调的均匀掺杂单层MA2Z4合金薄膜的制备方法
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