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申请/专利权人：泰晶科技股份有限公司
摘要：本发明提供了一种利用激光的音叉晶片微纳加工方法、音叉晶片，所述方法包括：提供一晶圆；在所述晶圆上利用一次激光刻写形成间隔分布的所述音叉晶片的图案；对所述晶圆进行湿法腐蚀，以形成具有镂空图案的所述晶圆；在所述晶圆的表面上镀覆金属层，利用二次激光刻蚀所述金属层以形成所述音叉晶片的电极图案；利用三次激光切割所述晶圆，分离后得到所述音叉晶片。本发明利用激光微纳加工的方法是无掩膜工艺，工艺流程简单且生产成本低，所述方法制备的音叉晶片尺寸与电极精度高、频率误差小。
主权项：1.一种利用激光的音叉晶片微纳加工方法，其特征在于，所述方法包括：提供一晶圆；在所述晶圆上利用一次激光刻写形成间隔分布的所述音叉晶片的图案；对所述晶圆进行湿法腐蚀，以形成具有镂空图案的所述晶圆；在所述晶圆的表面上镀覆金属层，利用二次激光刻蚀所述金属层以形成所述音叉晶片的电极图案；利用三次激光切割所述晶圆，分离后得到所述音叉晶片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 泰晶科技股份有限公司 一种利用激光的音叉晶片微纳加工方法、音叉晶片
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