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申请/专利权人：昆明物理研究所
摘要：本发明公开了一种改善的碲镉汞APD钝化层、制备方法及其应用，制备方法包括：基于碲锌镉衬底的液相外延碲镉汞材料，对其表面采用溴甲醇湿法腐蚀处理，再用乳酸水溶液浸泡去除表面氧化物，然后在腐蚀后的碲镉汞表面沉积生长碲化镉和硫化锌钝化层，最后将沉积完钝化层的碲镉汞样品置于氮气氛围下进行高低温退火。本发明通过乳酸处理去除表面氧化层以及高低温退火改善钝化膜层的质量，并通过低温退火降低材料表面固定电荷，从而减小表面载流子复合速率降低器件的漏电流，从而实现高性能的APD和长波碲镉汞红外探测器的制备。
主权项：1.一种改善的碲镉汞APD钝化层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，准备一片碲镉汞芯片，所述碲镉汞芯片由碲锌镉衬底层和碲镉汞层组成；S2，对S1中的碲镉汞芯片进行溴甲醇湿化学腐蚀，随后浸泡在乳酸水溶液中；S3，在S2中的碲镉汞芯片表面上采用磁控溅射的方式沉积CdTe和ZnS钝化膜；S4，对S3中得到的钝化膜进行高低温退火，改善CdTe膜层质量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明物理研究所 一种改善的碲镉汞APD钝化层、制备方法及其应用
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