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申请/专利权人：厦门大学
摘要：本发明公开了一种无需巨量转移的三色MicroNanoLED阵列及其制作方法，在n型GaN基底上形成包含极性面和半极性面的六边形微纳米孔阵结构，再经二次外延同时形成红绿蓝光多量子阱结构及p型层，利用光刻、刻蚀、镀膜等工艺制作出晶圆级的三色MicroNanoLED阵列，该阵列的所有单个重复单元内包含三颗同轴嵌套六边形结构的RGB三色波长LED。本发明简化了三色MicroNanoLED的制备工艺，缩短了器件的制备周期，为降低单个显示像素的尺寸提供有力途径。这种无需巨量转移的方法可制成覆盖Micro至Nano尺寸级别的三色LED阵列和超高分辨率的MicroNanoLED显示屏。
主权项：1.一种无需巨量转移的三色MicroNanoLED阵列，其特征在于：包括由下至上依次设置的衬底、GaN缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型GaN层、InGaNGaN多量子阱及p型层；所述n型GaN层的至少部分分隔成复数个阵列单元，各个阵列单元分别包括形成于所述n型GaN层的六边形微纳米孔，所述六边形微纳米孔的侧壁包括第一半极性面和第二半极性面，底面形成下极性面，所述InGaNGaN多量子阱形成于所述第一半极性面、第二半极性面和下极性面上，所述p型层覆盖所述InGaNGaN多量子阱并对应所述第一半极性面、第二半极性面和下极性面的交界处设有分隔孔；所述形成于第一半极性面、第二半极性面和下极性面上的多量子阱的发光波长分别为380~480nm、480~580nm及580~680nm；所述InGaNGaN多量子阱的周期数为1～20个，每个周期厚度为5~50nm；还包括第一p型电极、第二p型电极、第三p型电极和n型电极，所述第一p型电极、第二p型电极、第三p型电极分别设于对应所述第一半极性面、第二半极性面和下极性面的p型层上；所述阵列单元的间隔形成n型GaN层台阶，所述n型电极设于所述n型GaN层台阶上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列及其制作方法
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