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申请/专利权人：深圳先进技术研究院
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域。本发明提供了一种CIGS光吸收层制备装置及制备方法、CIGS太阳能电池。本申请提供的CIGS光吸收层制备装置，包括：进样室、第一溅射室、第二溅射室、第一过渡室、第一高温室、第二高温室、出样室；与常规的CIGS光吸收层制备装置相比，本装置通过设置第一高温室对形成硒膜的CIG前驱体进行硒化、硫化，得到硒化、硫化的CIGS光吸收层，进而有效提高了太阳能电池的光电转化效率，并在高温和湿度环境下保持较好的稳定性。本发明的CIGS光吸收层制备装置，具有生产效率高，稳定性高，制备薄膜均匀性高等优点。
主权项：1.一种CIGS光吸收层制备装置，其特征在于，包括：进样室，用于将衬底导入至溅射室；溅射室，包括依次连接的第一溅射室、第二溅射室、第一过渡室、第一高温室、第二高温室；以及出样室；其中，所述第一溅射室用于在所述衬底上制备金属背电极；所述第二溅射室用于在金属背电极上制备CIG前驱体；所述第一过渡室用于对硒源进行蒸发并在CIG前驱体上形成硒膜；所述第一高温室用于对形成硒膜的CIG前驱体进行硒化、硫化，得到CIGS光吸收层；所述第二高温室用于对CIGS光吸收层进行退火；所述出样室用于将含有CIGS光吸收层的衬底导出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳先进技术研究院 一种CIGS光吸收层制备装置及制备方法、CIGS太阳能电池
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