龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供了一种浮栅的制备方法，包括：提供衬底，形成氮化硅层覆盖衬底，刻蚀氮化硅层形成若干氮化硅图形，由于氮化硅材质特性，使得氮化硅图形的侧壁垂直，相邻两个氮化硅图形之间暴露出部分衬底；然后形成浮栅材料层覆盖氮化硅图形且填充于相邻两个氮化硅图形之间暴露的衬底上；再刻蚀去除氮化硅图形上方的浮栅材料层以及部分厚度的氮化硅图形，保留的浮栅材料层作为浮栅，浮栅的下部分侧壁与氮化硅图形的侧壁接触使得浮栅的下部分侧壁垂直；以及，去除剩余的氮化硅图形；本发明能够降低漏电的可能性，提高器件的可靠性，并且对浮栅的尺寸进行精准控制。
主权项：1.一种浮栅的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底的部分表面形成有隧穿氧化层；形成氮化硅层覆盖所述衬底和所述隧穿氧化层；刻蚀所述氮化硅层形成若干氮化硅图形，且所述氮化硅图形的侧壁垂直，相邻两个所述氮化硅图形之间暴露出所述隧穿氧化层；形成浮栅材料层覆盖所述氮化硅图形且填充于相邻两个所述氮化硅图形之间暴露的隧穿氧化层上；刻蚀去除所述氮化硅图形上方的浮栅材料层以及部分厚度的所述氮化硅图形，保留的所述浮栅材料层作为浮栅，所述浮栅的下部分侧壁与所述氮化硅图形的侧壁接触使得所述浮栅的下部分侧壁垂直；以及，去除剩余的所述氮化硅图形。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 浮栅的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号