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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明公开了一种超薄氧化铪氮化硼复合栅介质的制备方法，属于二维材料集成电子学领域。本发明的氧化铪氮化硼复合栅介质的制备方法是先制备超平整单晶氮化硼CuNi111晶圆，然后通过原子层沉积的方法直接在单晶六方氮化硼CuNi111晶圆上生长氧化铪薄膜，得到所述氧化铪氮化硼复合栅介质。本发明的方法能够制备不同厚度的氧化铪氮化硼晶圆，制备得到的复合栅介质平整，致密均匀，能够集成在二维材料电子器件上。
主权项：1.一种氧化铪氮化硼复合栅介质的制备方法，包括如下步骤：1采用磁控溅射的方法在蓝宝石上溅射一层镍膜，然后在所述镍膜上再溅射一层铜膜，得到铜镍蓝宝石；2将所述铜镍蓝宝石进行高温退火处理，得到单晶铜镍合金晶圆；3采用低压化学气相沉积的方法在所述单晶铜镍合金晶圆上生长六方氮化硼，得到单晶六方氮化硼CuNi111晶圆；4通过原子层沉积的方法直接在所述单晶六方氮化硼CuNi111晶圆上生长氧化铪薄膜，得到所述氧化铪氮化硼复合栅介质。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种超薄氧化铪/氮化硼复合栅介质的制备方法
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