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申请/专利权人：株式会社力森诺科
摘要：提供一种不易发生弯曲和蚀刻停止的低温蚀刻方法。蚀刻方法包括：蚀刻工序，使具有蚀刻对象物的被蚀刻部件4的温度为0℃以下，使含有蚀刻化合物的蚀刻气体与被蚀刻部件4接触，来对蚀刻对象物进行蚀刻，该蚀刻对象物含有硅。蚀刻气体含有或者不含有高沸点杂质，在含有高沸点杂质的情况下，所含有的全部种类的高沸点杂质的浓度的总和为500体积ppm以下，该高沸点杂质是在分子内具有氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氢原子以及氧原子中的至少一种原子且在101kPa的压力下的沸点为20℃以上的化合物。
主权项：1.一种蚀刻方法，包括：蚀刻工序，使具有蚀刻对象物的被蚀刻部件的温度为0℃以下，使含有蚀刻化合物的蚀刻气体与所述被蚀刻部件接触，来对所述蚀刻对象物进行蚀刻，所述蚀刻对象物含有硅，所述蚀刻气体含有或者不含有高沸点杂质，在含有所述高沸点杂质的情况下，所含有的全部种类的所述高沸点杂质的浓度的总和为500体积ppm以下，所述高沸点杂质是在分子内具有氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氢原子以及氧原子中的至少一种原子且在101kPa的压力下的沸点为20℃以上的化合物。
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