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申请/专利权人：华灿光电(浙江)有限公司
摘要：本公开提供了一种具有低位错的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该发光二极管包括：依次叠设的双层成核层、第一半导体层、有源层和第二半导体层；双层成核层包括AlN成核子层，以及和AlN成核子层接触的AlGaN成核子层；第一半导体层位于双层成核层的一侧；有源层位于第一半导体层的远离双层成核层的一侧；第二半导体层位于有源层的远离第一半导体层的一侧。本公开能够有效的降低线性位错。
主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，包括：双层成核层10，包括AlN成核子层110，以及和所述AlN成核子层110接触的AlGaN成核子层120；第一半导体层20，位于所述双层成核层10的一侧；有源层30，位于所述第一半导体层20的远离所述双层成核层10的一侧；第二半导体层40，位于所述有源层30的远离所述第一半导体层20的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华灿光电(浙江)有限公司 具有低位错的发光二极管及其制备方法
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