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申请/专利权人：广东先导微电子科技有限公司
摘要：本发明提供一种低位错密度掺硅砷化镓单晶的生长方法，包括：（1）在氢气气氛下加热砷化镓多晶料和硅粉，以使砷化镓多晶料熔融得到含有硅粉的砷化镓多晶熔体并保温；（2）继续在氢气气氛下将含有硅粉的砷化镓多晶熔体沿竖直方向自下而上进行垂直梯度凝固，得到掺杂有硅的砷化镓单晶；在加热和垂直梯度凝固过程中，砷化镓多晶熔体的上方和下方相对位置各设置一块磁铁，且两块磁铁的相对面磁极相反。该生长方法可以显著降低掺硅砷化镓晶体的EPD，可以获得几乎趋近于零EPD的砷化镓晶体。
主权项：1.一种低位错密度掺硅砷化镓单晶的生长方法，其特征在于，包括：（1）在氢气气氛下加热砷化镓多晶料和硅粉，以使砷化镓多晶料熔融得到含有硅粉的砷化镓多晶熔体并保温；（2）继续在氢气气氛下将含有硅粉的砷化镓多晶熔体沿竖直方向自下而上进行垂直梯度凝固，得到掺杂硅的砷化镓单晶；在所述加热和垂直梯度凝固过程中，所述砷化镓多晶熔体的上方和下方相对位置各设置一块磁铁，且两块磁铁的相对面磁极相反。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东先导微电子科技有限公司 一种低位错密度掺硅砷化镓单晶的生长方法
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