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申请/专利权人：贵州师范大学
摘要：本发明公开了一种基于插层氧化二维碲化镓的低功耗忆阻器及其制备方法，涉及微电子科学技术领域，所述忆阻器包括衬底、底电极、顶电极以及顶电极和底电极之间的插层氧化二维碲化镓材料组成的叠层结构，所述忆阻器制备方法包括以下步骤：S1、采用激光直写和电子束蒸镀进行微纳加工，制备底电极阵列；S2、制备插层氧化二维碲化镓材料；S3、通过干法转移将上述插层氧化二维碲化镓材料从衬底转移至底电极之上；S4、采用激光直写和电子束蒸镀进行微纳加工，制备顶电极阵列；S5、将制备的忆阻器器件退火处理。本发明的开启和关闭的电压及电流较小，从而降低了忆阻器的能耗；本发明的制备方法可在室温下操作降低器件的功耗，与现有的半导体工艺兼容。
主权项：1.一种基于插层氧化二维碲化镓的低功耗忆阻器，其特征在于：所述忆阻器包括衬底、底电极、顶电极和功能层，所述衬底上垂直堆叠有底电极和顶电极，所述底电极与顶电极之间设置功能层，所述功能层为插层氧化二维碲化镓材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 贵州师范大学 一种基于插层氧化二维碲化镓的低功耗忆阻器及其制备方法
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