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申请/专利权人：上海海栎创科技股份有限公司
摘要：本发明揭示了一种节省面积与更低功耗的SRAM结构及其自定时控制方法，所述SRAM结构包括多个串联的虚拟存储体；虚拟存储体设置在真实存储体的一侧。进一步的，虚拟存储体包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管；第一NMOS管的源极接地，漏极连接于第三NMOS管、源极和第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极。本发明能够缩短放电时间，从而能够缩短灵敏放大器的开启时间，还能够实现对时序控制电路的精确操作，从而能够解决传统电路中逻辑门延迟大、自控性差以及可靠性等问题，且有效节省功耗。
主权项：1.一种节省面积与更低功耗的SRAM结构，其特征在于，包括多个串联的虚拟存储体和相连接的真实存储体、时序控制电路和读写电路；所述虚拟存储体设置在真实存储体宽度方向的一侧；初始状态下，所述虚拟存储体的位线和互补位线的电压为高，所述虚拟存储体和所述真实存储体的字线开启后，所述虚拟存储体的位线和互补位线放电至所述时序控制电路中，同时所述真实存储体的位线和互补位线产生电压差；当所述电压差达到所述读写电路的数据读出设定值时，同时所述时序控制电路根据放电产生的翻转电压关闭字线；进行数据读出；所述虚拟存储体包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管；所述第一NMOS管的源极接地，漏极连接于所述第三NMOS管的源极和所述第一PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的栅极连接于所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极、所述第二NMOS管的漏极以及所述第四NMOS管的源极；所述第二NMOS管的源极和栅极皆接地；所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的栅极均接入字线，所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的漏极分别接入位线和互补位线；所述位线和所述互补位线均接入时序控制电路；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极均连接电源电压。
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