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申请/专利权人：深圳爱仕特科技有限公司

摘要：本发明涉及集成电路技术领域，提供了一种低功耗电流源集成电路，包括恒定电压产生电路和电流源输出电路，所述电流源输出电路包括电压复制电路，以及电阻值不受温度变化影响的温度互补串联电阻组，所述电压复制电路的输入端与所述恒定电压产生电路连接，用于对所述恒定电压产生电路产生的不受温度变化影响的恒定电压进行复制，所述电压复制电路的输出端与温度互补串联电阻组连接，用于将复制后的所述恒定电压加载在所述温度互补串联电阻组上，以产生恒定输出电流；本发明结构简单，运行功耗低，输出电流温度系数极小，系统稳定性强。

主权项：1.一种低功耗电流源集成电路，其特征在于，包括：恒定电压产生电路1和电流源输出电路2，所述电流源输出电路2包括电压复制电路21，以及电阻值不受温度变化影响的温度互补串联电阻组22，所述电压复制电路21的输入端与所述恒定电压产生电路1连接，用于对所述恒定电压产生电路1产生的不受温度变化影响的恒定电压进行复制，所述电压复制电路21的输出端与温度互补串联电阻组22连接，用于将复制后的所述恒定电压加载在所述温度互补串联电阻组22上，以产生恒定输出电流；所述恒定电压产生电路1包括恒压电路11、放大电路12和偏置电压电路13，所述放大电路12的输入端与所述恒压电路11连接，输出端与所述电压复制电路21连接，以将所述恒压电路11产生的恒定电压放大后传递给所述电压复制电路21，所述偏置电压电路13分别与所述放大电路12和电压复制电路21连接，以为所述放大电路12和电压复制电路21提供偏置电压；所述恒压电路11包括5个MOS管，其中，MOS管M1的源极接供电电源，漏极分别与MOS管M2的栅极和源极连接，所述MOS管M2的漏极分别与MOS管M3和MOS管M4的栅极连接，所述MOS管M3的漏极与所述MOS管M2的漏极连接，源极与所述MOS管M4的漏极连接，所述MOS管M4的源极经MOS管M5接地，漏极与所述放大电路12连接；所述放大电路12包括4个MOS管，其中，MOS管M16的源极接所述供电电源，栅极与所述偏置电压电路13连接，漏极经MOS管M17与MOS管M18的源极连接，MOS管M19的源极接地，栅极与所述偏置电压电路13连接，漏极与所述MOS管M18的漏极连接，所述MOS管M18的栅极与所述恒压电路11连接，漏极与所述电压复制电路21连接，以将所述恒压电路11产生的恒定电压放大后传递给所述电压复制电路21；所述恒定电压产生电路1还包括电容C1，所述电容C1的第一端分别与所述MOS管M18的栅极和MOS管M4的漏极连接，第二端接地；所述偏置电压电路13有三路，其中，第一偏置电压电路的输出端分别与所述MOS管M19的栅极和电压复制电路21连接，第二偏置电压电路的输出端与所述MOS管M16的栅极连接，第三偏置电压电路的输出端与所述电压复制电路21连接；所述电压复制电路21包括8个MOS管，其中，MOS管M25的栅极与所述第一偏置电压电路的输出端连接，源极接地，MOS管M22的源极与MOS管M18的源极连接，漏极与所述MOS管M25的漏极连接，栅极与所述温度互补串联电阻组22连接，MOS管M26的源极接所述供电电源，漏极经MOS管M27接所述MOS管M22的栅极，栅极接所述MOS管M1的栅极，MOS管M21和M24的栅极与所述第三偏置电压电路的输出端连接，所述MOS管M24的源极与所述MOS管M22的漏极连接，漏极与MOS管M23的漏极连接，所述MOS管M21的源极与所述MOS管M18的漏极连接，漏极分别与MOS管M20的漏极、MOS管M20的栅极和MOS管M23的栅极连接，所述MOS管M20和M23的源极接所述供电电源；所述电流源输出电路2还包括电流复制输出电路23，所述电流复制输出电路23包括2个MOS管，其中，MOS管Q28的源极与所述MOS管Q26的源极连接，MOS管Q29的源极分别与所述MOS管Q28的栅极和漏极连接，栅极与所述MOS管Q26的栅极连接，漏极接电流源输出端口。

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