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申请/专利权人：芯恩(青岛)集成电路有限公司
摘要：本申请为一种电容结构，包括衬底、多个浅沟槽、第一氧化层、第一介质层以及金属复合层。多个浅沟槽设置于衬底。第一氧化层设置于多个浅沟槽的每一个。第一介质层设置于衬底上及包括多个开口，多个开口的位置对应多个浅沟槽的位置。金属复合层设置于多个开口的每一个。透过多个开口的金属复合层和第一介质层的配置，在多个浅沟槽上形成多个电容，而无须在第一介质层上方制造额外的金属层来形成电容，从而减少电容结构的高度及电容制造过程的复杂性。
主权项：1.一种电容结构，其特征在于，包括：衬底；多个浅沟槽，设置于所述衬底；第一氧化层，设置于所述多个浅沟槽的每一个；第一介质层，设置于所述衬底上及包括多个开口，所述多个开口的位置对应所述多个浅沟槽的位置；以及金属复合层，设置于所述多个开口的每一个。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯恩(青岛)集成电路有限公司 电容结构及电容结构的制造方法
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