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申请/专利权人：仪晟科学仪器(嘉兴)有限公司

摘要：本发明公开了一种超高真空极低温原位多探针输运测量系统，包括快速进样室、生长室、输运测试室、真空互联系统、系统支架及电源系统，其中快速进样室主要实现大气和超高真空环境之间快速传递样品和针尖；生长室主要在高温下实现指定图案薄膜器件和电极的生长；输运测量室主要实现生长好的薄膜器件在极低温下的原位多探针输运测量；真空互联系统主要实现系统与其他系统的真空连接。本发明公开的一种超高真空极低温原位多探针输运测量系统，其可以通过真空环境和制冷技术，能够实现从低温到室温的样品温度控制。

主权项：1.一种超高真空极低温原位多探针输运测量系统，用于生长薄膜的原位电学输运测量，其特征在于，包括：快速进样室，所述快速进样室包括真空腔体部、第一真空泵组、全量程规、第一传样杆，所述第一真空泵组位于所述真空腔体部的下端并且与所述真空腔体部固定连接，所述第一传样杆位于所述真空腔体部的侧端并且与所述真空腔体部固定连接，所述快速进样室用于实现大气和超高真空环境之间快速互相传递样品和针尖，所述第一真空泵组用于提供真空环境，所述全量程规用于测量真空度；生长室，所述生长室包括第一超高真空腔体部、离子规、第二传样杆、第三传样杆、第五传样杆，所述离子规位于所述第一超高真空腔体部的侧端并且与所述第一超高真空腔体部固定连接，所述第二传样杆位于所述第一超高真空腔体部的侧端并且与所述第一超高真空腔体部固定连接，所述第二传样杆用于对所述第一超高真空腔体部内样品的抓取与传递，所述第二传样杆在水平方向上与所述第一传样杆垂直，所述第三传样杆位于所述第一超高真空腔体部的下端并且与所述第一超高真空腔体部固定连接，所述离子规用于测量真空度，所述第五传样杆位于所述第一超高真空腔体部的侧端并且与所述第一超高真空腔体部固定连接，所述第五传样杆在水平方向上与所述第一传样杆平行；输运测试室和支架系统，所述快速进样室、生长室和输运测试室均位于所述支架系统的上端并且均与所述支架系统固定连接；所述生长室还包括第一离子泵、分子泵、一维直线导入器、第二闸板阀，所述分子泵位于所述第一超高真空腔体部远离所述第二传样杆的一端并且与所述第一超高真空腔体部固定连接，所述第一离子泵位于所述分子泵远离所述第一超高真空腔体部的一端并且与所述分子泵固定连接，所述一维直线导入器位于所述第一超高真空腔体部的上端，所述一维直线导入器用于传递样品，所述第二闸板阀用于连接并且固定所述分子泵；所述输运测试室包括第二超高真空腔体部、第三闸板阀、第四传样杆、液氦制冷机、第二离子泵，所述第四传样杆位于所述第二超高真空腔体部的侧端并且与所述第二超高真空腔体部固定连接，所述第四传样杆用于接收和传递样品，所述液氦制冷机位于所述第二超高真空腔体部的上端并且与所述第二超高真空腔体部固定连接，所述液氦制冷机用于提供极低温环境，所述第二离子泵位于所述第二超高真空腔体部的下端并且与所述第二超高真空腔体部固定连接。

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