买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：北京工业大学

摘要：本发明公开了一种多层ITO反射的双面双结太阳能电池及其制备方法，包括：n‑Si层；n‑Si层的上下表面分别掺杂形成p+‑Si层和n+‑Si层，p+‑Si层上依次形成有第一隧道结和ITO分布式反射镜；ITO分布式反射镜上制备AlxGa1‑xAs子电池，AlxGa1‑xAs子电池和n+‑Si层上分别制备减反射层、欧姆接触层和金属电极。本发明的太阳能电池可以双面受光，内部设有多层ITO反射镜，可以将入射光在电池内部进行多次反射，有效提高对太阳光的吸收效率。

主权项：1.一种多层ITO反射的双面双结太阳能电池，其特征在于，包括：n-Si层；所述n-Si层的上下表面分别掺杂形成p+-Si层和n+-Si层，所述p+-Si层上依次形成有第一隧道结和ITO分布式反射镜；所述ITO分布式反射镜上制备AlxGa1-xAs子电池，所述AlxGa1-xAs子电池和所述n+-Si层上分别制备减反射层、欧姆接触层和金属电极；所述AlxGa1-xAs子电池包括n-AlxGa1-xAs层，所述n-AlxGa1-xAs层的上下表面分别掺杂形成p+-AlxGa1-xAs层和n+-AlxGa1-xAs层，所述n+-AlxGa1-xAs层键合在所述ITO分布式反射镜上，所述p+-AlxGa1-xAs层上制备所述减反射层；其中，所述n-AlxGa1-xAs层的x的取值范围为0≤x≤0.8；所述p+-Si层和n+-Si层的制备过程包括：取出制绒完毕的n型Si衬底，将其放置在石英炉管内的基座上，向石英炉管中通入携带有BBr3的氮气和氧气的混合气体，将石英炉管内的温度升高至800℃~1200℃，让反应持续至少1小时；反应结束后，待石英炉管内的温度自然冷却至室温后，将基座上的Si片翻转至另一面，接着向石英炉管中通入携带有AsH3或PH3的氮气和氧气的混合气体；将石英炉管内的温度升高至800℃~1200℃，让反应持续至少1小时；反应结束后，待石英炉管内的温度自然冷却至室温后，取出掺杂完毕的Si片；所述ITO分布式反射镜包含多对交替生长的不同折射率的ITO薄膜，ITO分布式反射镜与第一隧道结相接触侧为折射率为n2的ITO薄膜，与n+-AlxGa1-xAs层相接触侧为折射率为n1的ITO薄膜，n2＞n1；所述折射率为n1的ITO薄膜是通过用电子束蒸发生长的，厚度为100nm~300nm，气压为10-6mbar~10-7mbar，温度在400℃~600℃；所述折射率为n2的ITO薄膜是通过用磁控溅射法生长的，厚度为100nm~300nm，气压为10-6mbar~10-7mbar，温度在400℃~600℃；所述ITO分布式反射镜沉积完成后，将其放置在退火炉内退火2小时，退火温度为500℃；n+-AlxGa1-xAs层的制备过程包括：将n型AlxGa1-xAs单晶棒切割成厚度为10μm~30μm的AlxGa1-xAs单晶片，将其放置在石英炉管内的基座上，向石英炉管中通入携带有AsH3或PH3的氮气和氧气的混合气体，将石英炉管内的温度升高至800℃~1200℃，让反应持续至少1小时，形成n+-AlxGa1-xAs层；p+-AlxGa1-xAs的制备过程包括：将键合完毕的n型AlxGa1-xAs单晶片放置在石英炉管内的基座上，向石英炉管中通入携带有BBr3的氮气和氧气的混合气体，将石英炉管内的温度升高至800℃~1200℃，让反应持续至少1小时，形成p+-AlxGa1-xAs层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 一种多层ITO反射的双面双结太阳能电池及其制备方法