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申请/专利权人：深圳市安信达存储技术有限公司

摘要：本发明公开了一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法，涉及数据闪存技术领域，对芯片内部所存在的闪存单元进行信息读取，并根据信息读取结果对闪存单元进行分级，获得对应的闪存阵列；将所需要在芯片内进行闪存的数据导入至闪存入口内，并确定初始闪存阵列；根据在芯片内进行闪存的数据的数据量以及闪存单元的分级结果，建立闪存单元的闪存组合阵列链路，并通过所建立的闪存组合阵列链路，对所需要进行闪存的数据进行分布式存储；完成对所需要进行闪存的数据进行分布式存储后，对初始闪存阵列内的闪存单元进行信息更新，并将所有的闪存单元进行重新分级，获得新的闪存阵列，解决了闪存单元使用频率不均衡的问题，提高闪存阵列的使用寿命。

主权项：1.一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：对芯片内部所存在的闪存单元进行信息读取，并根据信息读取结果对闪存单元进行分级，获得对应的闪存阵列；对闪存单元进行分级的过程包括：读取芯片内部所存在的闪存单元，所述闪存单元为具有不同存储空间的FLASH闪存晶圆；获取每个闪存单元的有效容量；设置若干个容量区间范围，将所设置的容量区间范围数量记为m，所述容量区间范围的数量为固定值，且容量区间范围的数量与闪存单元的总数量呈整数倍关系；将闪存单元的有效容量与所设置的容量区间范围进行匹配，根据匹配结果，将闪存单元对相匹配的容量区间范围进行关联；将与同一容量区间范围相关联的闪存单元进行汇总，获得对应的闪存阵列；步骤S2：将所需要在芯片内进行闪存的数据导入至闪存入口内，并确定初始闪存阵列；步骤S3：根据在芯片内进行闪存的数据的数据量以及闪存单元的分级结果，建立闪存单元的闪存组合阵列链路，并通过所建立的闪存组合阵列链路，对所需要进行闪存的数据进行分布式存储；步骤S4：完成对所需要进行闪存的数据进行分布式存储后，对初始闪存阵列内的闪存单元进行信息更新，并将所有的闪存单元进行重新分级，获得新的闪存阵列；在完成对需要闪存的数据的分布式存储后，对初始闪存阵列内的闪存单元进行信息更新，并将所有的闪存单元进行重新分级的过程包括：获取待存储数据流片段闪存至各个闪存单元内后，闪存单元剩余的有效容量，并将闪存单元的有效容量更新为剩余的有效容量；将剩余的有效容量与不同的容量区间范围进行匹配，根据匹配结果将闪存单元归入对应的容量区间范围的闪存阵列；对每个闪存阵列进行检索，并获取对应的检索结果，所述检索结果为每个闪存阵列内是否存在至少一个初始状态为“0”的闪存单元；若闪存阵列内均存在至少一个初始状态为“0”的闪存单元，则不对闪存单元进行重新分级；若闪存阵列不存在初始状态为“0”的闪存单元，即闪存阵列内的闪存单元的初始状态均为“1”；则获取所有闪存单元的剩余的有效容量，并将闪存单元根据剩余的有效容量由高到低进行排序；根据排序结果将闪存单元进行数量等分，根据数量等分结果，构建新的闪存阵列，并将新的闪存阵列内的闪存单元的初始状态更新为“0”。

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