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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种虚置闪存存储器结构之间的电阻包含一基底，基底包含一电阻区和一闪存存储器区，一第一虚置存储栅极结构和一第二虚置存储栅极结构设置在电阻区内的基底上以及一多晶硅电阻设置于第一虚置存储栅极结构和第二虚置存储栅极结构之间并且多晶硅电阻接触第一虚置存储栅极结构和第二虚置存储栅极结构。
主权项：1.一种虚置闪存存储器结构之间的电阻，包含：基底，包含电阻区和闪存存储器区；第一虚置存储栅极dummymemorygate结构和第二虚置存储栅极结构，设置在该电阻区内的该基底上；以及多晶硅电阻，设置于该第一虚置存储栅极结构和该第二虚置存储栅极结构之间并且该多晶硅电阻接触该第一虚置存储栅极结构和该第二虚置存储栅极结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联华电子股份有限公司 虚置闪存存储器结构之间的电阻
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