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申请/专利权人：季华实验室

摘要：本发明公开全桥D类放大电路、级联功率模块及大功率射频电源。该全桥D类放大电路包括：左侧半桥，包括左上MOS管和左下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；右侧半桥，包括右上MOS管和右下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；变压器，所述变压器的原边的两端分别耦合于所述左侧半桥的居中点和右侧半桥的居中点。该电路使得从电源节点与地节点之间引入的电能被转换为方波电压波形后经变压器的副边输出，其中，所述方波电压波形具有预先设定的射频频率。该全桥D类放大电路的反向电压低，效率高，可靠性高。

主权项：1.一种全桥D类放大电路，其特征在于，用于大功率射频电源，所述射频的范围包括以下任一项：400KHz、2MHz、13.56MHz、27.12MHz、60MHz，用于将从直流电源引入的电能转换为射频电能输出，输出功率上限为8KW，包括：左侧半桥，包括左上MOS管和左下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；右侧半桥，包括右上MOS管和右下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；左侧半桥中，左上MOS管的漏极节点与电源节点耦合，左下MOS管的源极节点与地节点耦合；左上MOS管的源极节点与左下MOS管的漏极节点分别位于左侧半桥的居中点的两侧；右侧半桥中，右上MOS管的漏极节点与电源节点耦合，右下MOS管的源极节点与地节点耦合；右上MOS管的源极节点与右下MOS管的漏极节点分别位于右侧半桥的居中点的两侧；变压器，所述变压器的原边的两端分别耦合于所述左侧半桥的居中点和右侧半桥的居中点；通过分别控制第一组内的左上MOS管与右下MOS管与第二组内的左下MOS管与右上MOS管在组内同步地切换工作状态，使得从电源节点与地节点之间引入的电能被转换为方波电压波形后经变压器的副边输出，其中，所述方波电压波形具有预先设定的射频频率；滤波电路，其在输入端与变压器的副边耦合，其在输出端与负载耦合；其中，所述变压器的副边与共模电感连接，并通过π型滤波器与负载连接；所述滤波电路将变压器的副边输出的方波电压波形调整为同频的正弦电压波形后输出至负载；左上钳位二极管，其两端分别耦合于左上MOS管的源极节点和地节点，其导通方向指向左上MOS管的源极节点；左下钳位二极管，其两端分别耦合于左下MOS管的漏极节点和电源节点，其导通方向指向电源节点；右上钳位二极管，其两端分别耦合于右上MOS管的源极节点和地节点，其导通方向指向右上MOS管的源极节点；右下钳位二极管，其两端分别耦合于右下MOS管的漏极节点和电源节点，其导通方向指向电源节点。

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