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申请/专利权人：上海交通大学
摘要：本发明提供了一种在高深宽比硅孔内溅射种子层的方法，包括：依托多靶磁控溅射镀膜系统，利用负偏压辅助三个及三个以上相同材质的靶材共焦溅射，实现在高深宽比硅孔镀膜的功能。本发明有助于铜原子沉积在硅孔的深处和底部。同时适当的负偏压功率，可以防止溅射时硅孔上沿沉积的薄膜出现“房檐效应”，提高了铜原子在硅孔侧壁和底部的覆盖性，为后续的电镀提供了保障。
主权项：1.一种在高深宽比硅孔内溅射种子层的方法，其特征在于，包括：依托多靶磁控溅射镀膜系统，利用负偏压辅助三个及三个以上相同材质的靶材共焦溅射，实现在高深宽比硅孔镀膜的功能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海交通大学 在高深宽比硅孔内溅射种子层的方法
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