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申请/专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
摘要：本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，绝缘栅双极型晶体管包括：体区，体区包括掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区；其中，第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度，第一掺杂区的体积小于或等于第二掺杂区的体积；第一掺杂区，位于发射极区与漂移区之间，且与发射极区、漂移区及发射极金属接触；第二掺杂区，位于发射极区与漂移区之间，且与发射极区、漂移区及栅极区接触；发射极金属，位于发射极区与第一掺杂区上方，且与栅极区接触；栅极区，位于发射极区、第二掺杂区及漂移区上方。
主权项：1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：体区，所述体区包括掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区；其中，所述第一掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度，所述第一掺杂区的体积小于或等于所述第二掺杂区的体积；所述第一掺杂区，位于发射极区与漂移区之间，且与所述发射极区、所述漂移区及发射极金属接触；所述第二掺杂区，位于所述发射极区与所述漂移区之间，且与所述发射极区、所述漂移区及栅极区接触；所述发射极金属，位于所述发射极区与所述第一掺杂区上方，且与所述栅极区接触；所述栅极区，位于所述发射极区、所述第二掺杂区及所述漂移区上方；所述第一掺杂区和所述第二掺杂区沿所述发射极金属至所述栅极区的方向依次排列；所述第一掺杂区包括：掺杂浓度不同的多个掺杂子区域，且所述多个掺杂子区域的掺杂浓度沿所述发射极金属至所述栅极区的方向逐渐降低；所述第二掺杂区包括：掺杂浓度不同的多个掺杂子区域，且所述多个掺杂子区域的掺杂浓度沿所述发射极金属至所述栅极区的方向逐渐降低。
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