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申请/专利权人:厦门大学
摘要:本发明公开了一种基于离子浓差的纳流忆阻器,包括具有尖端开口和底端开口的锥形纳米孔道,底端开口的口径大于尖端开口;锥形纳米孔道的内部环境中存在第一电解质溶液,与尖端开口导通的外部环境中存在第二电解质溶液,第一电解质溶液和第二电解质溶液具有离子浓度差异并在外加电场的作用下产生忆阻效应;通过调控第一电解质溶液和第二电解质溶液的离子浓度差异大小实现忆阻效应强度的改变或方向的反转,并应用于人工离子突触器件实现兴奋性突触、抑制性突触的模拟或转换。本发明可以灵活地调控忆阻强弱、模拟突触可塑性、抗外界磁场干扰,并由于水溶液测试环境,具有更强的生物相容性等优点。
主权项:1.一种基于离子浓差的纳流忆阻器,其特征在于:包括锥形纳米孔道,所述锥形纳米孔道具有尖端开口和底端开口,底端开口的口径大于尖端开口;所述锥形纳米孔道的内部环境中存在第一电解质溶液,与尖端开口导通的外部环境中存在第二电解质溶液,第一电解质溶液和第二电解质溶液具有离子浓度差异并在外加电场的作用下产生忆阻效应;通过调控第一电解质溶液和第二电解质溶液的离子浓度差异大小实现忆阻效应强度的改变或方向的反转。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 厦门大学 基于离子浓差的纳流忆阻器和人工离子突触器件及应用
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