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申请/专利权人:华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要:本申请公开了一种用于闪存器件的层间介质层填充方法,方法包括:提供一闪存器件,所述闪存器件包括存储单元区和外围器件区;在所述闪存器件的表面沉积接触孔蚀刻停止层;利用紫外线照射所述闪存器件,以析出所述接触孔蚀刻停止层中的氢;在所述接触孔蚀刻停止层表面沉积OTS层;在所述OTS层上沉积HARP氧化层;在所述HARP氧化层上沉积TEOS层。本申请通过上述方案,能够解决相关技术中出现的接触孔蚀刻停止层中存在裂纹、缝隙的问题。
主权项:1.一种用于闪存器件的层间介质层填充方法,其特征在于,包括:提供一闪存器件,所述闪存器件包括存储单元区和外围器件区;在所述闪存器件的表面沉积接触孔蚀刻停止层;利用紫外线照射所述闪存器件,以析出所述接触孔蚀刻停止层中的氢;在所述接触孔蚀刻停止层表面沉积OTS层;在所述OTS层上沉积HARP氧化层;在所述HARP氧化层上沉积TEOS层。
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